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单晶材料硅中可能出现的缺陷

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母性泛滥本子全彩本子: 发布日期:2020-07-16 00:00 来源: 点击:

单晶硅缺陷,是对于晶体的周期性对称的破坏,使得实际的单晶材料晶体偏离了理想晶体的晶体结构。在各种缺陷之中,有着多种分类方式,如果按照缺陷的维度,可以分为以下几种缺陷:

点缺陷:在晶体学中,点缺陷是指在三维尺度上都很小的,不超过几个原子直径的缺陷。其在三维尺寸均很。辉谀承┪恢梅⑸,只影响邻近几个原子,有被称为零维缺陷。

线缺陷:线缺陷指二维尺度很小而第三维尺度很大的缺陷,也就是位错。我们可以通过电镜等来对其进行观测。

面缺陷:面缺陷经常发生在两个不同相的界面上,或者同一硅单晶晶体内部不同晶畴之间。界面两边都是周期排列点阵结构,而在界面处则出现了格点的错位。我们可以用光学显微镜观察面缺陷。

体缺陷:所谓体缺陷,是指在晶体中较大的尺寸范围内的晶格排列的不规则,比如包裹体、气泡、空洞等。

热点缺陷有两种基本形式:弗仑克尔缺陷和肖特基缺陷。硅单晶定向中空位和间隙原子在热平衡时的浓度与温度有关。温度愈高,平衡浓度愈大。高温生长的硅单晶,在冷却过程中过饱和的间隙原子和空位要消失,其消失的途径是:空位和间隙原子相遇使复合消失;扩散到晶体表面消失;或扩散到位错区消失并引起位错攀移。间隙原子和空位目前尚无法观察。

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